SSM2212RZ-R7

SSM2212 è una coppia duale di transistori matchati a NPN progettato appositamente per soddisfare i requisiti dei sistemi audio a bassissimo rumore. È in grado di raggiungere rapporti segnale-rumore eccezionali. I risultati ad alto guadagno di corrente in prestazioni superiori rispetto ai sistemi che incorporano gli amplificatori monolitici disponibili in commercio. La stabilità dei parametri abbinati è garantita dai diodi di protezione sulla giunzione base-emettitore. Questi diodi prevengono la degradazione delle caratteristiche abbinate e beta dovuta alla polarizzazione inversa della giunzione base-emettitore. Si tratta di una scelta ideale per circuiti di mirroring e polarizzazione della corrente accurati e affidabili. Poiché l'accuratezza di uno specchio di corrente degrada in modo esponenziale con gli abbinamenti scorretti di VBE tra le coppie di transistori, la bassa VOS del dispositivo non richiede la taratura dell'offset nella maggioranza dei circuiti.

• Densità di tensione di rumore: 1,6nV/√Hz tipica a 10Hz
• Match di guadagno di corrente: 0,5% tipico
• Deriva di tensione di offset eccezionale: 0,03μV/°C tipica
• Alto prodotto guadagno-larghezza di banda: 200MHz tipico
• Corrente di bias di ingresso: massimo 50nA
• Corrente di offset di ingresso: massimo 6,2nA
• Resistenza di bulk: 0,3 ohm tipica
• Deriva di corrente di offset di ingresso: 40pA/°C tipica
• Temperatura di esercizio: da –40°C a 85°C
• Stile di package: SOIC_N standard a 8 piedini

Note

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