MAX5054BATA+T

Il doppio driver MOSFET ad alta velocità MAX5054BATA+T genera e assorbe fino a 4A di corrente di picco. Questo dispositivo è caratterizzato da un ritardo di propagazione ridotto di 20ns e tempi di salita e discesa di 20ns mentre pilota un carico capacitivo di 5000pF. Il tempo di ritardo di propagazione è ridotto al minimo e matchato tra gli ingressi invertenti e non invertenti e tra i canali. Le alte correnti di picco di source/sink, il basso ritardo di propagazione e i package con caratteristiche termiche avanzate rendono il dispositivo ideale per i circuiti ad alta frequenza e alta potenza. Possiede una circuiteria logica interna che previene la sovracorrente (shoot-through) durante le variazioni dello stato di uscita, per ridurre al minimo la corrente di esercizio alle alte frequenze di commutazione. Gli ingressi logici sono protetti contro gli spike di tensione di fino a +18V, a prescindere dalla tensione VDD. È un prodotto usato in applicazioni come: commutazione dei MOSFET di potenza, controllo dei motori, alimentatori a commutazione, moduli di alimentazione, convertitori DC-DC.

• Alimentazione singola: da 4V a 15V
• Corrente di uscita di picco (sink): 4A tipica a (VDD = 15V, CL = 10.000pF)
• Delay matchato tra gli ingressi invertenti e non invertenti
• Ritardo di propagazione matchato tra i due canali
• Ingressi logici VDD/2CMOS, ingressi logici TTL
• Isteresi degli ingressi logici 0,1 x VDD (CMOS) e 0,3V (TTL)
• Ingressi logici fino a +18V (a prescindere dalla tensione VDD)
• Bassa capacità di ingresso: 2,5pF tipica
• Corrente di riposo: 40µA tipica a (VDD = 4V-15V, TA = da -40°C a 125°C)
• Temperatura di esercizio: da −40°C a +125°C, package: TDFN-EP a 8 piedini

Note

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