Stampa pagina
MAX22701EAWA+T
Gate driver, 1 Canali, isolato, isolato, MOSFET su base SiC, HEMT su base GaN, 8 Pin, WSOIC
L'immagine ha puramente scopi illustrativi. Vedere la descrizione del prodotto.
Disponibile per l'ordine
Tempo di approvvigionamento standard del produttore: 12 settimana/e
| Quantità | |
|---|---|
| 1000+ | € 2,410 |
Prezzo per:Unità, fornito in bobina completa
Minimo: 1000
Più: 1000
€ 2 410,00 (IVA esc)
Aggiungi codice prodotto /nota
Aggiunto alla tua conferma d'ordine, fattura e nota di spedizione solo per questo ordine.
Questo numero verrà aggiunto alla conferma d'ordine, alla fattura, alla nota di spedizione, all'e-mail di conferma web e all'etichetta del prodotto.
Informazioni sui prodotti
ProduttoreANALOG DEVICES
Cod. produttoreMAX22701EAWA+T
Codice Prodotto3925297
Datasheet tecnico
Numero di canali1Canali
Tipo di Gate Driverisolato
Configurazione Driverisolato
Tipo di Interruttore di PotenzaMOSFET su base SiC, HEMT su base GaN
Numero di pin8Pin
Package/case del circuito integratoWSOIC
Montaggio CImontaggio superficiale
Tipo di IngressoInvertente, non invertente
Corrente di Source (Sorgente)-
Corrente di Sink (Pozzo)-
Tensione di alimentazione min3V
Tensione di alimentazione max5.5V
Temperatura di esercizio min-40°C
Temperatura di esercizio max125°C
Ritardo Ingresso39ns
Ritardo in Uscita39ns
Gamma di prodotti-
Qualificazioni-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)MSL 1 - Non Limitata
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Panoramica del prodotto
Note
I prodotti ADI sono destinati (e venduti) al solo scopo di utilizzo esclusivo da parte del cliente, e non per la rivendita o altro passaggio a qualsiasi terza parte
Specifiche tecniche
Numero di canali
1Canali
Configurazione Driver
isolato
Numero di pin
8Pin
Montaggio CI
montaggio superficiale
Corrente di Source (Sorgente)
-
Tensione di alimentazione min
3V
Temperatura di esercizio min
-40°C
Ritardo Ingresso
39ns
Gamma di prodotti
-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
MSL 1 - Non Limitata
Tipo di Gate Driver
isolato
Tipo di Interruttore di Potenza
MOSFET su base SiC, HEMT su base GaN
Package/case del circuito integrato
WSOIC
Tipo di Ingresso
Invertente, non invertente
Corrente di Sink (Pozzo)
-
Tensione di alimentazione max
5.5V
Temperatura di esercizio max
125°C
Ritardo in Uscita
39ns
Qualificazioni
-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documenti tecnici (1)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Philippines
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Philippines
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85423990
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.000001
Tracciabilità del prodotto