LTC7890RUJM#PBF

LTC7890 è un regolatore a commutazione DC-DC step-down duale ad alte prestazioni, che pilota tutti gli stadi di potenza dei FET di nitruro di gallio (GaN) sincroni a canale N da tensioni in ingresso fino a 100V. Questo prodotto risolve molte delle sfide poste tradizionalmente dall'uso dei FET GaN. Semplifica la progettazione delle applicazioni e non richiede diodi di protezione e altri componenti esterni aggiuntivi rispetto a una soluzione con MOSFET di silicio. Gli interruttori bootstrap smart interno prevengono la sovraccarica del pin BOOSTx verso le alimentazioni driver high-side del pin SWx durante i tempi morti, proteggendo il gate del FET di GaN superiore. In questo modo, ottimizza internamente la temporizzazione del gate driver su entrambi i fronti di commutazione per raggiungere tempi morti smart prossimi allo zero, migliorando in modo significativo l'efficienza e permettendo il funzionamento ad alta frequenza, anche a tensioni in ingresso elevate. Le applicazioni includono: sistemi di alimentazione industriali, sistemi medicali e di avionica militare, sistemi di alimentazione delle telecomunicazioni.

• Tecnologia di drive di GaN pienamente ottimizzata per i FET di GaN
• Non richiede diodi catch, clamp o bootstrap
• Gli interruttori bootstrap smart interni prevengono la sovraccarica delle alimentazioni driver high side
• Ottimizzato internamente, tempi morti smart prossimi allo zero o tempi morti regolabili con resistore
• Gate driver di uscita separati per forze di driver di accensione e spegnimento regolabili
• UVLO e tensione di driver regolabili accurate
• Intervallo di esercizio di alimentazione di ingresso: 4-100V (TJ = da −40°C a +150°C)
• Set point di tensione in uscita regolata: da 0,8 a 60V (TJ = da −40°C a +150°C)
• Corrente di carica di soft start: 12μA (tipica, TRACK/SS1 e TRACK/SS2 = 0V)
• Package QFN a 40 piedini, range di temperatura: da -40°C a +150°C

Note

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