LTC4449EDCB#TRMPBF

LTC®4449 è un gate driver ad alta frequenza progettato per pilotare due MOSFET a canale N in un convertitore DC/DC sincrono. La potente capacità di drive rail-to-rail riduce le perdite di commutazione nei MOSFET con alte capacità di gate. Questo prodotto presenta un'alimentazione separata per matchare la logica di ingresso con l'oscillazione di segnale dell'IC controllore. Se il segnale di ingresso non è pilotato, si attiva una modalità di arresto che spegne entrambi i MOSFET esterni. Il segnale logico di ingresso trasla di livello internamente all'alimentazione con circuito bootstrap, che funziona fino a 42V sopra la terra. Le applicazioni includono architetture di potenza distribuita e moduli di potenza ad alta densità.

• Protezione shoot-through adattiva, driver di uscita rail-to-rail, blocco di sottotensione
• Alimentazione separata per matchare il controllore PWM, pilota due MOSFET a canale N
• Range di funzionamento: 3-6,5V (TA = 25°C, VCC = VLOGIC = VBOOST = 5V)
• Corrente di alimentazione DC tipica: 730μA (IN = flottante, TA = 25°C)
• Soglia di blocco di sottotensione tipica: 2,75V (VLOGIC in salita, TA=25°C)
• Alta tensione di output TG tipica: 140mV (ITG = –100mA, VOH(TG) = VBOOST – VTG, TA = 25°C)
• Ritardo di propagazione da BG low a TG high: 14ns (TA = 25°C)
• Tempo di salita di output TG tipico: 8ns (10% – 90%, CL = 3nF, TA = 25°C)
• Package DFN in plastica a 8 piedini
• Range di temperatura: da -40°C a 125°C

Note

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