HMC1132PM5E

HMC1132PM5E è un amplificatore di potenza MMIC (circuito integrato a microonde monolitico) con tecnologia pHEMT (ossia del transistor pseudomorfico ad alta mobilità elettronica) in arseniuro di gallio (GaAs) a 4 stadi. HMC1132PM5E esibisce una linearità eccellente con punto di intercetta del terzo ordine di uscita (IP3) di 37dBm, ed è ottimizzato per i sistemi radio ad alta capacità, point to point e point to multipoint. La configurazione dell'amplificatore e il guadagno elevato lo rendono un candidato ideale per l'amplificazione dei segnali dell'ultimo stadio precedente l'antenna. Le applicazioni includono: radio point to point, radio point to multipoint, terminali VSAT e comunicazioni satellitari (SATCOM), ambito spaziale e militare.

• Potenza di uscita saturata: 29,5dBm (tip, TA = 25°C, VDD1 = VDD2 = 5V)
• Intercetta del terzo ordine di uscita: 37dBm (tip, misurazione presa a 5V, 650mA)
• Guadagno elevato: 24dB (tipico) a 29GHz - 32GHz
• Range di frequenza: 27-29GHz (TA = 25°C, VDD1 = VDD2 = 5V)
• Guadagno: 22dB (tipico, TA = 25°C, VDD1 = VDD2 = 5V)
• Perdita di ritorno: 7dB (tip, TA = 25°C, VDD1 = VDD2 = 5V)
• Potenza di uscita per compressione 1dB: 28,5dBm (tipica, TA = 25°C, VDD1 = VDD2 = 5V)
• Potenza di uscita saturata: 29,5dBm (tip, TA = 25°C, VDD1 = VDD2 = 5V)
• Cifra di rumore: 7dB (tipica, TA = 25°C, VDD1 = VDD2 = 5V)
• Package LFCSP a 32 piedini, temperatura di esercizio: da -55°C a +85°C

Note

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