DS1230Y-70IND+

La DS1230Y-70IND+ è una SRAM non volatile di 256KB in un package EDIP a 28 pin. Nello specifico, si tratta di una SRAM non volatile, completamente statica a 262.144bit organizzata in forma di 32768 parole da 8 bit. La SRAM NV presenta una batteria al litio incorporata e una circuiteria di controllo che monitora costantemente il VCC per rilevare le eventuali condizioni di superamento della tolleranza. Quando si verifica una condizione del genere, la batteria al litio si attiva automaticamente e la protezione della scrittura viene abilitata in maniera incondizionata, per prevenire la corruzione dei dati. Questo dispositivo può essere usato in sostituzione delle RAM statiche da 32K x 8 esistenti e si conforma direttamente al package DIP a 28 pin tipico. Il dispositivo DIP si accoppia con la piedinatura delle EEPROM 28256 e permette la sostituzione diretta e allo stesso tempo un miglioramento della performance. Il package a basso profilo è progettato appositamente per le applicazioni a montaggio superficiale. Non c’è limite al numero di cicli di scrittura che può eseguire e non richiede alcun circuito di supporto aggiuntivo per interfacciarsi con il microprocessore.

• Intervallo di tensione di alimentazione: da 4,5V a 5,5V
• Intervallo di temperatura di esercizio: da -40°C a 85°C
• Sostituisce la memoria flash, EEPROM o RAM statica volatile da 32K x 8
• Cicli di scrittura illimitati
• CMOS a bassa potenza
• Tempo di accesso a lettura e scrittura: 70ns
• La batteria al litio è scollegata per mantenerne la freschezza fino alla prima applicazione di corrente

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Note

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