DS1225AD-150IND+

La DS1225AD-150IND+ è una SRAM non volatile di 64K in un package EDIP a 28 pin. Nello specifico, si tratta di una SRAM non volatile, completamente statica a 65,536bit organizzata in forma di 8192 parole da 8 bit. Ogni SRAM NV presenta una batteria al litio autonoma e una circuiteria di controllo che monitora costantemente il VCC per rilevare le eventuali condizioni di superamento della tolleranza. Quando si verifica una condizione del genere, la batteria al litio si attiva automaticamente e la protezione della scrittura si abilita in maniera incondizionata, per prevenire la corruzione dei dati. La SRAM NV può essere usata in sostituzione delle SRAM di 8K x 8 esistenti, per conformarsi direttamente al tipico package DIP a 28 pin. Il dispositivo presenta una piedinatura compatibile con EPROM 2764 ed EEPROM 2864, permettendo così la sostituzione diretta e allo stesso tempo un miglioramento della performance. Non c'è limite al numero di cicli di scrittura che può eseguire e non richiede alcun circuito di supporto aggiuntivo per interfacciarsi con il microprocessore.

• Tensione di alimentazione: 4,5V-5,5V
• Temperatura di esercizio: da -40°C a +85°C
• I dati sono protetti automaticamente in caso di perdita dell'alimentazione
• Sostituto diretto della RAM o EEPROM statica volatile di 8K x 8
• Cicli di scrittura illimitati
• CMOS a bassa potenza
• Tempo di accesso a lettura e scrittura: 150ns
• La batteria al litio è scollegata per mantenerne la freschezza fino alla prima applicazione di corrente
• Tensione di protezione di scrittura: 4,37V
• Corrente di esercizio: 85mA

Avvertenze

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Note

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