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Informazioni sui prodotti
Panoramica del prodotto
AD648 è un op amp BiFETa bassa potenza di precisione duale. Offre sia bassa corrente di bias (max 10pA, da riscaldato) che bassa corrente di riposo (max 400µA) ed è fabbricato sulla base delle tecnologie di calibrazione a laser del wafer e del FET a impiantazione ionica. La corrente di bias di ingresso è garantita al variare dell'intero range di tensione di modo comune del dispositivo. La combinazione di bassa corrente di riposo e bassa deriva di tensione di offset riduce al minimo le variazioni nella tensione di offset di ingresso dovute agli effetti di autoriscaldamento. Questo dispositivo è raccomandato per qualsiasi applicazione con op-amp ad alimentazione duale che richiede bassa potenza e prestazioni di AC e DC eccellenti.
- Corrente di riposo: max 400A
- Corrente di bias di ingresso: max 10pA
- Tensione di offset iniziale: 0,75mV tipica
- Rumore di tensione di ingresso: 2µV p-p tipico (da 0,1Hz a 10Hz)
- Slew rate tipico: 1,8V/s
- Guadagno in banda tipico: 1MHz
- Temperatura di funzionamento: da 0°C a 70°C
- Stile di package: SOIC (R-8)
Note
I prodotti ADI sono destinati (e venduti) al solo scopo di utilizzo esclusivo da parte del cliente, e non per la rivendita o altro passaggio a qualsiasi terza parte
Specifiche tecniche
2Canali
1.8V/µs
SOIC
scopo generico
750µV
montaggio superficiale
70°C
-
No SVHC (21-Jan-2025)
-
2 amplificatori
1MHz
da ±4,5V a ±18V
8Pin
-
5pA
0°C
-
MSL 1 - Non Limitata
SOIC
1MHz
1.8V/µs
Legislazione e ambiente
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Philippines
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
RoHS
RoHS
Certificato di conformità del prodotto