C2M0080120D
MOSFET al carburo di silicio, configurazione singola, canale N, 31.6 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, TO-247
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| Quantità | |
|---|---|
| 1+ | € 28,110 |
| 5+ | € 27,640 |
| 10+ | € 27,160 |
| 50+ | € 23,540 |
| 100+ | € 19,920 |
Informazioni sui prodotti
Panoramica del prodotto
Il C2M0080120D di Cree è uno Z-FET di seconda generazione, ossia un MOSFET di potenza al carburo di silicio a canale N per foro passante in un package TO-247. Questo MOSFET è caratterizzato da tecnologia MOSFET SiC C2M, alta tensione di blocco con bassa resistenza di On, alta velocità di commutazione con basse capacità elettriche, facile da mettere in parallelo e semplice da pilotare, robustezza in effetto a valanga, resistenza al latch up, efficienza di sistema elevata, requisiti di raffreddamento ridotti e densità di potenza aumentata. Le applicazioni includono gli inverter solari, gli alimentatori commutati, i convertitori DC-DC ad alta tensione e i caricabatterie.
- Tensione drain-source (Vds) 1,2kV
- Corrente di scarico continuo: 36A
- Dissipazione di potenza: 192W
- Temperatura di giunzione operativa: da -55°C a 150°C
- Bassa resistenza di stato ON di 80ohm con Vgs di 20V
Specifiche tecniche
configurazione singola
31.6A
0.08ohm
3Pin
3.2V
150°C
-
canale N
1.2kV
TO-247
20V
208W
-
No SVHC (15-Jan-2019)
Documenti tecnici (2)
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Legislazione e ambiente
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Philippines
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
RoHS
RoHS
Certificato di conformità del prodotto