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Informazioni sui prodotti
ProduttoreVISHAY
Cod. produttoreSQM120P10_10M1LGE3
Codice Prodotto3470663
Gamma ProdottiTrenchFET
Datasheet tecnico
Tipo di canalecanale P
Tensione Drain Source Vds100V
Corrente Continua di Drain Id120A
Resistenza Drain-Source in conduzione0.0081ohm
Stile di Case del TransistorTO-263 (D2PAK)
Montaggio Transistoremontaggio superficiale (SMT)
Tensione di test di Rds(on)10V
Tensione di soglia Gate-Source massima2V
Dissipazione di potenza375W
Numero di pin3Pin
Temperatura di esercizio max175°C
Gamma di prodottiTrenchFET
QualificazioniAEC-Q101
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)Lead (07-Nov-2024)
Specifiche tecniche
Tipo di canale
canale P
Corrente Continua di Drain Id
120A
Stile di Case del Transistor
TO-263 (D2PAK)
Tensione di test di Rds(on)
10V
Dissipazione di potenza
375W
Temperatura di esercizio max
175°C
Qualificazioni
AEC-Q101
Tensione Drain Source Vds
100V
Resistenza Drain-Source in conduzione
0.0081ohm
Montaggio Transistore
montaggio superficiale (SMT)
Tensione di soglia Gate-Source massima
2V
Numero di pin
3Pin
Gamma di prodotti
TrenchFET
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
Lead (07-Nov-2024)
Documenti tecnici (1)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)Lead (07-Nov-2024)
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Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.001
Tracciabilità del prodotto