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Informazioni sui prodotti
ProduttoreVISHAY
Cod. produttoreSI7454DDP-T1-GE3
Codice Prodotto2918683
Datasheet tecnico
Tipo di canaleN Channel
Tensione Drain Source Vds100V
Corrente Continua di Drain Id21A
Resistenza Drain-Source in conduzione0.033ohm
Stile di Case del TransistorPowerPAK SO
Montaggio TransistoreSurface Mount
Tensione di test di Rds(on)10V
Tensione di soglia Gate-Source massima3V
Dissipazione di potenza29.7W
Numero di pin8Pin
Temperatura di esercizio max150°C
Gamma di prodotti-
Qualificazioni-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)-
Specifiche tecniche
Tipo di canale
N Channel
Corrente Continua di Drain Id
21A
Stile di Case del Transistor
PowerPAK SO
Tensione di test di Rds(on)
10V
Dissipazione di potenza
29.7W
Temperatura di esercizio max
150°C
Qualificazioni
-
Tensione Drain Source Vds
100V
Resistenza Drain-Source in conduzione
0.033ohm
Montaggio Transistore
Surface Mount
Tensione di soglia Gate-Source massima
3V
Numero di pin
8Pin
Gamma di prodotti
-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
-
Documenti tecnici (2)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Y-Ex
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.000305
Tracciabilità del prodotto