Stampa pagina
L'immagine ha puramente scopi illustrativi. Vedere la descrizione del prodotto.
Disponibile per l'ordine
Tempo di approvvigionamento standard del produttore: 54 settimana/e
Avvisami non appena disponibile
Quantità | |
---|---|
100+ | € 1,330 |
500+ | € 1,120 |
1000+ | € 1,040 |
Prezzo per:Unità, fornito su nastro tagliato
Minimo: 100
Più: 1
€ 138,00 (IVA esc)
Per questo prodotto verranno addebitati € 5,00 per il re-reeling
Aggiungi codice prodotto /nota
Aggiunto alla tua conferma d'ordine, fattura e nota di spedizione solo per questo ordine.
Questo numero verrà aggiunto alla conferma d'ordine, alla fattura, alla nota di spedizione, all'e-mail di conferma web e all'etichetta del prodotto.
Informazioni sui prodotti
ProduttoreTEXAS INSTRUMENTS
Cod. produttoreCSD19532Q5B
Codice Prodotto3125059RL
Polarità Transistorcanale N
Tipo di canalecanale N
Tensione Drain Source Vds100V
Corrente Continua di Drain Id100A
Resistenza di Attivazione Rds(on)0.004ohm
Resistenza Drain-Source in conduzione0.0049ohm
Stile di Case del TransistorVSON
Montaggio Transistoremontaggio superficiale (SMT)
Tensione di test di Rds(on)10V
Tensione di soglia Gate-Source massima2.6V
Dissipazione di potenza3.1W
Dissipazione di Potenza Pd3.1W
Numero di pin8Pin
Temperatura di esercizio max150°C
Gamma di prodotti-
Qualificazioni-
Standard di Qualifica Automotive-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (27-Jun-2018)
Panoramica del prodotto
The CSD19532Q5B is a NexFET™ N-channel Power MOSFET designed to minimize losses in power conversion applications. It is suitable for use in synchronous rectifier for offline and isolated DC-to-DC converter applications.
- Low Qg and Qgd
- Low thermal resistance
- Avalanche rated
- Halogen-free
- Plastic package
- -55 to 150°C Operating junction temperature range
Specifiche tecniche
Polarità Transistor
canale N
Tensione Drain Source Vds
100V
Resistenza di Attivazione Rds(on)
0.004ohm
Stile di Case del Transistor
VSON
Tensione di test di Rds(on)
10V
Dissipazione di potenza
3.1W
Numero di pin
8Pin
Gamma di prodotti
-
Standard di Qualifica Automotive
-
Tipo di canale
canale N
Corrente Continua di Drain Id
100A
Resistenza Drain-Source in conduzione
0.0049ohm
Montaggio Transistore
montaggio superficiale (SMT)
Tensione di soglia Gate-Source massima
2.6V
Dissipazione di Potenza Pd
3.1W
Temperatura di esercizio max
150°C
Qualificazioni
-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2018)
Alternative per CSD19532Q5B
1 prodotto trovato
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Philippines
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Philippines
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (27-Jun-2018)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.000345
Tracciabilità del prodotto