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CSD18543Q3AT
MOSFET di potenza, canale N, 60 V, 35 A, 0.0099 ohm, VSON, montaggio superficiale (SMT)
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreTEXAS INSTRUMENTS
Cod. produttoreCSD18543Q3AT
Codice Prodotto3125052
Gamma ProdottiNexFET
Tipo di canalecanale N
Tensione Drain Source Vds60V
Corrente Continua di Drain Id35A
Resistenza Drain-Source in conduzione0.0099ohm
Stile di Case del TransistorVSON
Montaggio Transistoremontaggio superficiale (SMT)
Tensione di test di Rds(on)10V
Tensione di soglia Gate-Source massima2V
Dissipazione di potenza66W
Numero di pin8Pin
Temperatura di esercizio max150°C
Gamma di prodottiNexFET
Qualificazioni-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (27-Jun-2018)
Specifiche tecniche
Tipo di canale
canale N
Corrente Continua di Drain Id
35A
Stile di Case del Transistor
VSON
Tensione di test di Rds(on)
10V
Dissipazione di potenza
66W
Temperatura di esercizio max
150°C
Qualificazioni
-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2018)
Tensione Drain Source Vds
60V
Resistenza Drain-Source in conduzione
0.0099ohm
Montaggio Transistore
montaggio superficiale (SMT)
Tensione di soglia Gate-Source massima
2V
Numero di pin
8Pin
Gamma di prodotti
NexFET
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
-
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:United States
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:United States
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (27-Jun-2018)
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Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.0001
Tracciabilità del prodotto