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CSD18502KCS
MOSFET di potenza, canale N, 40 V, 212 A, 0.0024 ohm, TO-220, foro passante (THT)
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreTEXAS INSTRUMENTS
Cod. produttoreCSD18502KCS
Codice Prodotto3385720
Gamma ProdottiNexFET
Tipo di canalecanale N
Tensione Drain Source Vds40V
Corrente Continua di Drain Id212A
Resistenza Drain-Source in conduzione0.0024ohm
Stile di Case del TransistorTO-220
Montaggio Transistoreforo passante (THT)
Tensione di test di Rds(on)10V
Tensione di soglia Gate-Source massima1.8V
Dissipazione di potenza259W
Numero di pin3Pin
Temperatura di esercizio max175°C
Gamma di prodottiNexFET
Qualificazioni-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (27-Jun-2018)
Specifiche tecniche
Tipo di canale
canale N
Corrente Continua di Drain Id
212A
Stile di Case del Transistor
TO-220
Tensione di test di Rds(on)
10V
Dissipazione di potenza
259W
Temperatura di esercizio max
175°C
Qualificazioni
-
Tensione Drain Source Vds
40V
Resistenza Drain-Source in conduzione
0.0024ohm
Montaggio Transistore
foro passante (THT)
Tensione di soglia Gate-Source massima
1.8V
Numero di pin
3Pin
Gamma di prodotti
NexFET
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2018)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Taiwan
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Taiwan
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (27-Jun-2018)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.002543