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TSM2302CX RFG
MOSFET di potenza, canale N, 20 V, 2.8 A, 0.04 ohm, SOT-23, montaggio superficiale (SMT)
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| Quantità | |
|---|---|
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreTAIWAN SEMICONDUCTOR
Cod. produttoreTSM2302CX RFG
Codice Prodotto4320075
Datasheet tecnico
Tipo di canalecanale N
Tensione Drain Source Vds20V
Corrente Continua di Drain Id2.8A
Resistenza Drain-Source in conduzione0.04ohm
Stile di Case del TransistorSOT-23
Montaggio Transistoremontaggio superficiale (SMT)
Tensione di test di Rds(on)4.5V
Tensione di soglia Gate-Source massima950mV
Dissipazione di potenza1.25W
Numero di pin3Pin
Temperatura di esercizio max150°C
Gamma di prodotti-
Qualificazioni-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (27-Jun-2018)
Specifiche tecniche
Tipo di canale
canale N
Corrente Continua di Drain Id
2.8A
Stile di Case del Transistor
SOT-23
Tensione di test di Rds(on)
4.5V
Dissipazione di potenza
1.25W
Temperatura di esercizio max
150°C
Qualificazioni
-
Tensione Drain Source Vds
20V
Resistenza Drain-Source in conduzione
0.04ohm
Montaggio Transistore
montaggio superficiale (SMT)
Tensione di soglia Gate-Source massima
950mV
Numero di pin
3Pin
Gamma di prodotti
-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2018)
Documenti tecnici (2)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (27-Jun-2018)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.000245
Tracciabilità del prodotto