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STW12N150K5
MOSFET di potenza, canale N, 1.5 kV, 7 A, 1.6 ohm, TO-247, foro passante (THT)
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ProduttoreSTMICROELECTRONICS
Cod. produttoreSTW12N150K5
Codice Prodotto3367080
Gamma ProdottiMDmesh K5
Datasheet tecnico
6 008 A Stock
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreSTMICROELECTRONICS
Cod. produttoreSTW12N150K5
Codice Prodotto3367080
Gamma ProdottiMDmesh K5
Datasheet tecnico
Tipo di canalecanale N
Tensione Drain Source Vds1.5kV
Corrente Continua di Drain Id7A
Resistenza Drain-Source in conduzione1.6ohm
Stile di Case del TransistorTO-247
Montaggio Transistoreforo passante (THT)
Tensione di test di Rds(on)10V
Tensione di soglia Gate-Source massima4V
Dissipazione di potenza250W
Numero di pin3Pin
Temperatura di esercizio max150°C
Gamma di prodottiMDmesh K5
Qualificazioni-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Panoramica del prodotto
STW12N150K5 is a N-channel MDmesh™ K5 power MOSFET. It is designed using MDmesh™ K5 technology based on an innovative proprietary vertical structure. The result is a dramatic reduction in on-resistance and ultra-low gate charge for applications requiring superior power density and high efficiency. Suitable for switching applications.
- Industry’s lowest RDS(on) area, industry’s best figure of merit (FoM)
- Ultra low gate charge, 100% avalanche tested, Zener-protected
- 1500V min drain-source breakdown voltage (VGS = 0V, ID = 1mA, TCASE = 25°C)
- 1µA max zero gate voltage drain current (VGS = 0V, VDS = 1500V, TCASE = 25°C)
- 4V typ gate threshold voltage (VDS = VGS, ID = 100µA, TCASE = 25°C)
- 1.6ohm typ static drain-source on resistance (VGS = 10V, ID = 3.5A, TCASE = 25°C)
- 1360pF typ input capacitance (VGS = 0V, VDS = 10 V, f = 1MHz, TCASE = 25°C)
- 80pF typ output capacitance (VGS = 0V, VDS = 10 V, f = 1MHz, TCASE = 25°C)
- 47nC typ total gate charge (VDD = 1200V, ID = 7A, VGS = 10V, TCASE = 25°C)
- TO-247 package, operating junction temperature range from -55 to 150°C
Specifiche tecniche
Tipo di canale
canale N
Corrente Continua di Drain Id
7A
Stile di Case del Transistor
TO-247
Tensione di test di Rds(on)
10V
Dissipazione di potenza
250W
Temperatura di esercizio max
150°C
Qualificazioni
-
Tensione Drain Source Vds
1.5kV
Resistenza Drain-Source in conduzione
1.6ohm
Montaggio Transistore
foro passante (THT)
Tensione di soglia Gate-Source massima
4V
Numero di pin
3Pin
Gamma di prodotti
MDmesh K5
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documenti tecnici (2)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.00443