Stampa pagina
STR2N2VH5
MOSFET di potenza, canale N, 20 V, 2.3 A, 0.025 ohm, SOT-23, montaggio superficiale (SMT)
L'immagine ha puramente scopi illustrativi. Vedere la descrizione del prodotto.
ProduttoreSTMICROELECTRONICS
Cod. produttoreSTR2N2VH5
Codice Prodotto3130138
Gamma ProdottiSTripFET H5
Datasheet tecnico
774 A Stock
3 000 Puoi prenotare le disponibilità ora
Consegna in 1-2 giorni lavorativi
Ordina prima delle 17:00 spedizione standard
| Quantità | |
|---|---|
| 5+ | € 0,993 |
| 50+ | € 0,819 |
| 100+ | € 0,638 |
| 500+ | € 0,540 |
| 1500+ | € 0,440 |
Prezzo per:Unità, fornito su nastro tagliato
Minimo: 5
Più: 5
€ 4,96 (IVA esc)
Aggiungi codice prodotto /nota
Aggiunto alla tua conferma d'ordine, fattura e nota di spedizione solo per questo ordine.
Questo numero verrà aggiunto alla conferma d'ordine, alla fattura, alla nota di spedizione, all'e-mail di conferma web e all'etichetta del prodotto.
Informazioni sui prodotti
ProduttoreSTMICROELECTRONICS
Cod. produttoreSTR2N2VH5
Codice Prodotto3130138
Gamma ProdottiSTripFET H5
Datasheet tecnico
Tipo di canalecanale N
Tensione Drain Source Vds20V
Corrente Continua di Drain Id2.3A
Resistenza Drain-Source in conduzione0.025ohm
Stile di Case del TransistorSOT-23
Montaggio Transistoremontaggio superficiale (SMT)
Tensione di test di Rds(on)4.5V
Tensione di soglia Gate-Source massima700mV
Dissipazione di potenza350mW
Numero di pin3Pin
Temperatura di esercizio max150°C
Gamma di prodottiSTripFET H5
Qualificazioni-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)MSL 1 - Non Limitata
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Panoramica del prodotto
Avvertenze
La forte domanda di mercato ha causato un'estensione dei tempi di spedizione. Le date di consegna potrebbero variare. Articolo esente da sconti.
Specifiche tecniche
Tipo di canale
canale N
Corrente Continua di Drain Id
2.3A
Stile di Case del Transistor
SOT-23
Tensione di test di Rds(on)
4.5V
Dissipazione di potenza
350mW
Temperatura di esercizio max
150°C
Qualificazioni
-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Tensione Drain Source Vds
20V
Resistenza Drain-Source in conduzione
0.025ohm
Montaggio Transistore
montaggio superficiale (SMT)
Tensione di soglia Gate-Source massima
700mV
Numero di pin
3Pin
Gamma di prodotti
STripFET H5
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
MSL 1 - Non Limitata
Documenti tecnici (2)
Alternative per STR2N2VH5
2 prodotti trovati
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.00035
Tracciabilità del prodotto