Stampa pagina
L'immagine ha puramente scopi illustrativi. Vedere la descrizione del prodotto.
834 A Stock
Ti serve altro?
Consegna in 1-2 giorni lavorativi
Ordina prima delle 17:00 spedizione standard
Quantità | |
---|---|
1+ | € 21,030 |
5+ | € 20,850 |
10+ | € 20,660 |
50+ | € 14,690 |
100+ | € 14,280 |
250+ | € 14,130 |
Prezzo per:Unità
Minimo: 1
Più: 1
€ 21,03 (IVA esc)
Aggiungi codice prodotto /nota
Aggiunto alla tua conferma d'ordine, fattura e nota di spedizione solo per questo ordine.
Questo numero verrà aggiunto alla conferma d'ordine, alla fattura, alla nota di spedizione, all'e-mail di conferma web e all'etichetta del prodotto.
Informazioni sui prodotti
ProduttoreSTMICROELECTRONICS
Cod. produttoreSCT30N120
Codice Prodotto2451116
Datasheet tecnico
Configurazione modulo MOSFETconfigurazione singola
Tipo di canalecanale N
Corrente Continua di Drain Id40A
Tensione Drain Source Vds1.2kV
Resistenza Drain-Source in conduzione0.08ohm
Stile di Case del TransistorHiP247
Numero di pin3Pin
Tensione di test di Rds(on)20V
Tensione di soglia Gate-Source massima2.6V
Dissipazione di potenza270W
Temperatura di esercizio max200°C
Gamma di prodotti-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Panoramica del prodotto
The SCT30N120 is a N-channel silicon carbide Power MOSFET, unsurpassed on-resistance per unit area and very good switching performance independent of temperature. Suitable for high efficiency and high power density applications.
- Very tight variation of on-resistance vs. temperature
- Slight variation of switching losses vs. temperature
- Very high operating temperature capability (200°C)
- Very fast and robust intrinsic body diode
- Low capacitance
Avvertenze
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Specifiche tecniche
Configurazione modulo MOSFET
configurazione singola
Corrente Continua di Drain Id
40A
Resistenza Drain-Source in conduzione
0.08ohm
Numero di pin
3Pin
Tensione di soglia Gate-Source massima
2.6V
Temperatura di esercizio max
200°C
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Tipo di canale
canale N
Tensione Drain Source Vds
1.2kV
Stile di Case del Transistor
HiP247
Tensione di test di Rds(on)
20V
Dissipazione di potenza
270W
Gamma di prodotti
-
Documenti tecnici (2)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.008051
Tracciabilità del prodotto