Stampa pagina
RTR020N05TL
MOSFET di potenza, bassa tensione di soglia del gate, canale N, 45 V, 2 A, 0.25 ohm, TSMT
L'immagine ha puramente scopi illustrativi. Vedere la descrizione del prodotto.
496 A Stock
Ti serve altro?
Consegna in 1-2 giorni lavorativi
Ordina prima delle 17:00 spedizione standard
| Quantità | |
|---|---|
| 1+ | € 1,110 |
| 10+ | € 0,763 |
| 100+ | € 0,505 |
| 500+ | € 0,402 |
| 1000+ | € 0,361 |
| 5000+ | € 0,326 |
Prezzo per:Unità, fornito su nastro tagliato
Minimo: 1
Più: 1
€ 1,11 (IVA esc)
Aggiungi codice prodotto /nota
Aggiunto alla tua conferma d'ordine, fattura e nota di spedizione solo per questo ordine.
Questo numero verrà aggiunto alla conferma d'ordine, alla fattura, alla nota di spedizione, all'e-mail di conferma web e all'etichetta del prodotto.
Informazioni sui prodotti
ProduttoreROHM
Cod. produttoreRTR020N05TL
Codice Prodotto1525560
Datasheet tecnico
Tipo di canalecanale N
Tensione Drain Source Vds45V
Corrente Continua di Drain Id2A
Resistenza Drain-Source in conduzione0.25ohm
Stile di Case del TransistorTSMT
Montaggio Transistoremontaggio superficiale (SMT)
Tensione di test di Rds(on)4.5V
Tensione di soglia Gate-Source massima1.5V
Dissipazione di potenza1W
Numero di pin3Pin
Temperatura di esercizio max150°C
Gamma di prodotti-
Qualificazioni-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)MSL 1 - Non Limitata
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (23-Jan-2024)
Panoramica del prodotto
RTR020N05TL è un MOSFET di media potenza a canale N che offre una tensione pozzo-sorgente (drain-source) di 30V e una corrente di pozzo (drain) continua di ±2A. È adatto per l'uso nelle applicazioni di commutazione.
- Resistenza in conduzione bassa
- Package compatto a montaggio superficiale salva spazio
- Drive a bassa tensione 2.5V
- Temperatura di giunzione di esercizio: da -55 a 150°C
Avvertenze
La forte domanda di mercato ha causato un'estensione dei tempi di spedizione. Le date di consegna potrebbero variare. Articolo esente da sconti.
Specifiche tecniche
Tipo di canale
canale N
Corrente Continua di Drain Id
2A
Stile di Case del Transistor
TSMT
Tensione di test di Rds(on)
4.5V
Dissipazione di potenza
1W
Temperatura di esercizio max
150°C
Qualificazioni
-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (23-Jan-2024)
Tensione Drain Source Vds
45V
Resistenza Drain-Source in conduzione
0.25ohm
Montaggio Transistore
montaggio superficiale (SMT)
Tensione di soglia Gate-Source massima
1.5V
Numero di pin
3Pin
Gamma di prodotti
-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
MSL 1 - Non Limitata
Documenti tecnici (2)
Alternative per RTR020N05TL
5 prodotti trovati
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:South Korea
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:South Korea
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (23-Jan-2024)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.001058
Tracciabilità del prodotto