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NTBG160N120SC1
SIC MOSFET, N-CH, 20V, 19.5A, TO-263HV
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ProduttoreONSEMI
Cod. produttoreNTBG160N120SC1
Codice Prodotto4067383
Gamma ProdottiEliteSiC Series
Datasheet tecnico
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreONSEMI
Cod. produttoreNTBG160N120SC1
Codice Prodotto4067383
Gamma ProdottiEliteSiC Series
Datasheet tecnico
Configurazione modulo MOSFETSingle
Tipo di canaleN Channel
Corrente Continua di Drain Id19.5A
Tensione Drain Source Vds1.2kV
Resistenza Drain-Source in conduzione0.16ohm
Stile di Case del TransistorTO-263HV (D2PAK)
Numero di pin7Pin
Tensione di test di Rds(on)20V
Tensione di soglia Gate-Source massima3V
Dissipazione di potenza136W
Temperatura di esercizio max175°C
Gamma di prodottiEliteSiC Series
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)MSL 1 - Unlimited
Specifiche tecniche
Configurazione modulo MOSFET
Single
Corrente Continua di Drain Id
19.5A
Resistenza Drain-Source in conduzione
0.16ohm
Numero di pin
7Pin
Tensione di soglia Gate-Source massima
3V
Temperatura di esercizio max
175°C
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Tipo di canale
N Channel
Tensione Drain Source Vds
1.2kV
Stile di Case del Transistor
TO-263HV (D2PAK)
Tensione di test di Rds(on)
20V
Dissipazione di potenza
136W
Gamma di prodotti
EliteSiC Series
Documenti tecnici (2)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Y-Ex
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.002105
Tracciabilità del prodotto