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FDV304P
MOSFET di potenza, canale P, 25 V, 460 mA, 1.1 ohm, SOT-23, montaggio superficiale (SMT)
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreONSEMI
Cod. produttoreFDV304P
Codice Prodotto9846123
Datasheet tecnico
Tipo di canalecanale P
Tensione Drain Source Vds25V
Corrente Continua di Drain Id460mA
Resistenza Drain-Source in conduzione1.1ohm
Stile di Case del TransistorSOT-23
Montaggio Transistoremontaggio superficiale (SMT)
Tensione di test di Rds(on)2.7V
Tensione di soglia Gate-Source massima860mV
Dissipazione di potenza350mW
Numero di pin3Pin
Temperatura di esercizio max150°C
Gamma di prodotti-
Qualificazioni-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Panoramica del prodotto
FDV303P è un FET digitale ad arricchimento di livello logico a canale P in un package SOT-23 per l'assemblaggio SMT. Questo dispositivo è caratterizzato da una tecnologia DMOS ad alta densità di celle, che è stata adattata in modo da ridurre al minimo la resistenza in stato ON e mantenere basse le condizioni di gate drive. Ne risulta una resistenza in stato ON eccellente anche a tensioni di gate drive basse come 2,5V. L'FDV303P è pensato per applicazioni alimentate a batteria come notebook, telefoni cellulari e computer.
- Requisiti di gate drive di livello molto bassi, permettono un utilizzo diretto nei circuiti di 3V
- Tensione drain-source (Vds): -25V
- Tensione gate-source: -8V
- Corrente di pozzo (drain) continua (Id): -460mA
- Dissipazione di potenza (pd): 350mW
- Bassa resistenza in conduzione (RdsON): 1.22ohm a Vgs -2,7V
- Temperatura di esercizio: da -55°C a 150°C
Specifiche tecniche
Tipo di canale
canale P
Corrente Continua di Drain Id
460mA
Stile di Case del Transistor
SOT-23
Tensione di test di Rds(on)
2.7V
Dissipazione di potenza
350mW
Temperatura di esercizio max
150°C
Qualificazioni
-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Tensione Drain Source Vds
25V
Resistenza Drain-Source in conduzione
1.1ohm
Montaggio Transistore
montaggio superficiale (SMT)
Tensione di soglia Gate-Source massima
860mV
Numero di pin
3Pin
Gamma di prodotti
-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
-
Documenti tecnici (2)
Prodotti associati
2 prodotti trovati
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.000045