2N7000
MOSFET di potenza, canale N, 60 V, 200 mA, 5 ohm, TO-92, foro passante (THT)
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| Quantità | |
|---|---|
| 5+ | € 0,476 |
| 10+ | € 0,323 |
| 100+ | € 0,164 |
| 500+ | € 0,160 |
| 1000+ | € 0,136 |
| 5000+ | € 0,126 |
Informazioni sui prodotti
Panoramica del prodotto
2N7000 è un transistore a effetto di campo con modalità ad arricchimento e canale N prodotto partendo dalla tecnologia DMOS ad alta densità di celle. Questo processo a densità molto elevata è stato progettato per minimizzare la resistenza on-state e fornire allo stesso tempo una prestazione di commutazione rapida, affidabile e robusta. Si può usare nella maggioranza delle applicazioni che richiedono fino a 400mA di corrente continua e può erogare correnti a impulsi fino a 2A. È anche adatta per le applicazioni a bassa tensione e bassa corrente come i controlli di piccoli motori servo, i driver di gate MOSFET di potenza e altri tipi di commutazioni.
- Interruttore a piccolo segnale controllato in tensione
- Robusto e affidabile
- Capacità di corrente di saturazione elevata
Specifiche tecniche
canale N
200mA
TO-92
10V
400mW
150°C
-
No SVHC (27-Jun-2024)
60V
5ohm
foro passante (THT)
2.1V
3Pin
-
MSL 1 - Non Limitata
Documenti tecnici (2)
Alternative per 2N7000
6 prodotti trovati
Legislazione e ambiente
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
RoHS
RoHS
Certificato di conformità del prodotto