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FGH75T65SQDNL4
IGBT, 200 A, 1.43 V, 375 W, 650 V, TO-247, 4 Pin
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreONSEMI
Cod. produttoreFGH75T65SQDNL4
Codice Prodotto2981092
Datasheet tecnico
Corrente di collettore continua200A
Tensione di saturazione Collettore-Emettitore1.43V
Dissipazione di potenza375W
Massima tensione Collettore-Emettitore650V
Stile di Case del TransistorTO-247
Numero di pin4Pin
Temperatura di esercizio max175°C
Montaggio Transistoreforo passante (THT)
Gamma di prodotti-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)MSL 1 - Non Limitata
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Panoramica del prodotto
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Specifiche tecniche
Corrente di collettore continua
200A
Dissipazione di potenza
375W
Stile di Case del Transistor
TO-247
Temperatura di esercizio max
175°C
Gamma di prodotti
-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Tensione di saturazione Collettore-Emettitore
1.43V
Massima tensione Collettore-Emettitore
650V
Numero di pin
4Pin
Montaggio Transistore
foro passante (THT)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
MSL 1 - Non Limitata
Documenti tecnici (2)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.00542
Tracciabilità del prodotto