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NSF060120L4A0Q
MOSFET al carburo di silicio, configurazione singola, canale N, 37 A, 1.2 kV, 0.09 ohm, TO-247
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreNEXPERIA
Cod. produttoreNSF060120L4A0Q
Codice Prodotto4416129RL
Configurazione modulo MOSFETconfigurazione singola
Tipo di canalecanale N
Corrente Continua di Drain Id37A
Tensione Drain Source Vds1.2kV
Resistenza Drain-Source in conduzione0.09ohm
Stile di Case del TransistorTO-247
Numero di pin4Pin
Tensione di test di Rds(on)18V
Tensione di soglia Gate-Source massima2.9V
Dissipazione di potenza183W
Temperatura di esercizio max175°C
Gamma di prodotti-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)Lead (25-Jun-2025)
Specifiche tecniche
Configurazione modulo MOSFET
configurazione singola
Corrente Continua di Drain Id
37A
Resistenza Drain-Source in conduzione
0.09ohm
Numero di pin
4Pin
Tensione di soglia Gate-Source massima
2.9V
Temperatura di esercizio max
175°C
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
Lead (25-Jun-2025)
Tipo di canale
canale N
Tensione Drain Source Vds
1.2kV
Stile di Case del Transistor
TO-247
Tensione di test di Rds(on)
18V
Dissipazione di potenza
183W
Gamma di prodotti
-
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Y-Ex
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)Lead (25-Jun-2025)
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Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.006568
Tracciabilità del prodotto