Stampa pagina
LP0701N3-G
MOSFET di potenza, canale P, 16.5 V, 500 mA, 1.5 ohm, TO-92, foro passante (THT)
L'immagine ha puramente scopi illustrativi. Vedere la descrizione del prodotto.
456 A Stock
Ti serve altro?
Consegna in 1-2 giorni lavorativi
Ordina prima delle 17:00 spedizione standard
| Quantità | |
|---|---|
| 1+ | € 1,870 |
| 25+ | € 1,720 |
| 100+ | € 1,560 |
| 1000+ | € 1,430 |
Prezzo per:Unità
Minimo: 1
Più: 1
€ 1,87 (IVA esc)
Aggiungi codice prodotto /nota
Aggiunto alla tua conferma d'ordine, fattura e nota di spedizione solo per questo ordine.
Questo numero verrà aggiunto alla conferma d'ordine, alla fattura, alla nota di spedizione, all'e-mail di conferma web e all'etichetta del prodotto.
Informazioni sui prodotti
ProduttoreMICROCHIP
Cod. produttoreLP0701N3-G
Codice Prodotto2851547
Datasheet tecnico
Tipo di canalecanale P
Tensione Drain Source Vds16.5V
Corrente Continua di Drain Id500mA
Resistenza Drain-Source in conduzione1.5ohm
Stile di Case del TransistorTO-92
Montaggio Transistoreforo passante (THT)
Tensione di test di Rds(on)5V
Tensione di soglia Gate-Source massima700mV
Dissipazione di potenza1W
Numero di pin3Pin
Temperatura di esercizio max150°C
Gamma di prodotti-
Qualificazioni-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Panoramica del prodotto
This enhancement-mode (normally-off) transistor utilises a lateral MOS structure and Supertex’s well-proven silicongate manufacturing process. This combination produces a device with the power handling capabilities of bipolar transistor and with the high input impedance and negative temperature coefficient inherent in MOS devices.
- Suitable for logic level interfaces, solid state relays, battery operated systems, photo voltaic drives, analogue switches etc.
- Ultra-low threshold
- High input impedance
- Low input capacitance
- Fast switching speeds
- Low on-resistance
- Freedom from secondary breakdown
- Low input and output leakage
Specifiche tecniche
Tipo di canale
canale P
Corrente Continua di Drain Id
500mA
Stile di Case del Transistor
TO-92
Tensione di test di Rds(on)
5V
Dissipazione di potenza
1W
Temperatura di esercizio max
150°C
Qualificazioni
-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Tensione Drain Source Vds
16.5V
Resistenza Drain-Source in conduzione
1.5ohm
Montaggio Transistore
foro passante (THT)
Tensione di soglia Gate-Source massima
700mV
Numero di pin
3Pin
Gamma di prodotti
-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
-
Documenti tecnici (2)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Thailand
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Thailand
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.0002