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IR2110SPBF
CI driver duale, high side e low side, alim 10V-20V, 2,5A out, ritardo 94ns, SOIC-16
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ProduttoreINFINEON
Cod. produttoreIR2110SPBF
Codice Prodotto8638845
Gamma ProdottiIR2110; IR2113
Anche noto comeIR2110SPBF, SP001547594
Datasheet tecnico
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreINFINEON
Cod. produttoreIR2110SPBF
Codice Prodotto8638845
Gamma ProdottiIR2110; IR2113
Anche noto comeIR2110SPBF, SP001547594
Datasheet tecnico
Numero di canali2Canali
Tipo di Gate Driver-
Configurazione DriverHigh Side e Low Side
Tipo di Interruttore di PotenzaIGBT, MOSFET
Numero di pin16Pin
Package/case del circuito integratoSOIC
Montaggio CImontaggio superficiale
Tipo di IngressoNon-Invertente
Corrente di Source (Sorgente)2A
Corrente di Sink (Pozzo)2A
Tensione di alimentazione min10V
Tensione di alimentazione max20V
Temperatura di esercizio min-40°C
Temperatura di esercizio max125°C
Ritardo Ingresso120ns
Ritardo in Uscita94ns
Gamma di prodottiIR2110; IR2113
Qualificazioni-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)MSL 3 - 168 ore
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Panoramica del prodotto
IR2110SPBF è un driver di IGBT e MOSFET di potenza ad alta velocità e alta tensione con canali di output indipendenti con riferimento high side e low side
- Canale flottante pensato per il funzionamento dei bootstrap
- Range di alimentazione di gate drive: 10-20V
- Blocco di sottotensione per entrambi i canali
- Compatibile con logica 3.3V
- Ingressi innescati da trigger Schmitt CMOS con pull-down
- Logica di arresto con edge trigger di ciclo in ciclo
- Ritardo di propagazione armonizzato per entrambi i canali
- Uscite in fase con gli ingressi
Specifiche tecniche
Numero di canali
2Canali
Configurazione Driver
High Side e Low Side
Numero di pin
16Pin
Montaggio CI
montaggio superficiale
Corrente di Source (Sorgente)
2A
Tensione di alimentazione min
10V
Temperatura di esercizio min
-40°C
Ritardo Ingresso
120ns
Gamma di prodotti
IR2110; IR2113
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
MSL 3 - 168 ore
Tipo di Gate Driver
-
Tipo di Interruttore di Potenza
IGBT, MOSFET
Package/case del circuito integrato
SOIC
Tipo di Ingresso
Non-Invertente
Corrente di Sink (Pozzo)
2A
Tensione di alimentazione max
20V
Temperatura di esercizio max
125°C
Ritardo in Uscita
94ns
Qualificazioni
-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documenti tecnici (2)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Malaysia
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Malaysia
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85423990
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.000771