FM24CL04B-GTR

L'FM24CL04B-GTR è una memoria non volatile da 4 Kbit che utilizza un materiale ferroelettrico avanzato. Una memoria RAM ferroelettrica o FeRAM è non volatile ed effettua letture e scritture in modo simile a una RAM. Offre una memorizzazione affidabile dei dati per 151 anni ed elimina le complessità, overhead e problemi di affidabilità a livello di sistema causati dalle EEPROM e da altre memorie non volatili. L'FM24CL04B è in grado di supportare 10^14 cicli di lettura/scrittura o una quantità di cicli di scrittura di 100 milioni di volte superiore rispetto alla EEPROM. Queste capacità rendono l'FM24CL04B ideale per le applicazioni di memoria non volatile che richiedono scritture rapide o frequenti. Alcuni esempi possono essere il data logging, dove il numero di cicli di scrittura può essere essenziale, o i controlli industriali complessi, dove i lunghi tempi di scrittura della EEPROM possono causare perdite di dati. La combinazione di tutte queste proprietà permette la scrittura più frequente dei dati con meno overhead per il sistema.

• Memoria FeRAM da 4 Kbit con organizzazione logica in 512 × 8
• Autonomia elevata di 100 bilioni (10^14) di letture/scrittura, conservazione dati per 151 anni
• Scritture con No Delay™, materiale ferroelettrico avanzato di alta affidabilità
• Interfaccia seriale I2C rapida, sostituto hardware diretto della EEPROM seriale (I2C)
• Frequenza fino a 1MHz, supporta i tempi legacy per 100KHz e 400KHz
• Intervallo di alimentazione: 2,7-3,65V
• Corrente in standby: 3µA tipica a SCL=SDA=VDD
• Corrente di dispersione di uscita: +1µA massimo a VSS ≤ VIN ≤ VDD
• Package SOIC a 8 pin
• Intervallo di temperatura industriale: da -40°C a +85°C