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G3R60MT07J-TR
MOSFET, N-CH, 750V, 44A, TO-263
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| Quantità | |
|---|---|
| 1+ | € 10,560 |
| 10+ | € 9,600 |
| 25+ | € 9,240 |
| 50+ | € 8,980 |
| 100+ | € 8,720 |
| 250+ | € 8,390 |
| 500+ | € 8,200 |
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreGENESIC
Cod. produttoreG3R60MT07J-TR
Codice Prodotto4354936
Gamma ProdottiG3R Series
Configurazione modulo MOSFETSingle
Tipo di canaleN Channel
Corrente Continua di Drain Id44A
Tensione Drain Source Vds750V
Resistenza Drain-Source in conduzione0.06ohm
Stile di Case del TransistorTO-263 (D2PAK)
Numero di pin7Pin
Tensione di test di Rds(on)15V
Tensione di soglia Gate-Source massima2.5V
Dissipazione di potenza182W
Temperatura di esercizio max175°C
Gamma di prodottiG3R Series
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (17-Dec-2015)
Specifiche tecniche
Configurazione modulo MOSFET
Single
Corrente Continua di Drain Id
44A
Resistenza Drain-Source in conduzione
0.06ohm
Numero di pin
7Pin
Tensione di soglia Gate-Source massima
2.5V
Temperatura di esercizio max
175°C
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (17-Dec-2015)
Tipo di canale
N Channel
Tensione Drain Source Vds
750V
Stile di Case del Transistor
TO-263 (D2PAK)
Tensione di test di Rds(on)
15V
Dissipazione di potenza
182W
Gamma di prodotti
G3R Series
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (17-Dec-2015)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.00239
Tracciabilità del prodotto