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Informazioni sui prodotti
ProduttoreGENESIC
Cod. produttoreG3R20MT17N
Codice Prodotto3598626
Gamma ProdottiG3R
Datasheet tecnico
Configurazione modulo MOSFETconfigurazione singola
Tipo di canalecanale N
Corrente Continua di Drain Id100A
Tensione Drain Source Vds1.7kV
Resistenza Drain-Source in conduzione0.02ohm
Stile di Case del TransistorSOT-227
Numero di pin4Pin
Tensione di test di Rds(on)15V
Tensione di soglia Gate-Source massima2.7V
Dissipazione di potenza523W
Temperatura di esercizio max175°C
Gamma di prodottiG3R
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (17-Dec-2015)
Specifiche tecniche
Configurazione modulo MOSFET
configurazione singola
Corrente Continua di Drain Id
100A
Resistenza Drain-Source in conduzione
0.02ohm
Numero di pin
4Pin
Tensione di soglia Gate-Source massima
2.7V
Temperatura di esercizio max
175°C
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (17-Dec-2015)
Tipo di canale
canale N
Tensione Drain Source Vds
1.7kV
Stile di Case del Transistor
SOT-227
Tensione di test di Rds(on)
15V
Dissipazione di potenza
523W
Gamma di prodotti
G3R
Documenti tecnici (1)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:United States
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:United States
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (17-Dec-2015)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.001393