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FMV30N60S1
MOSFET di potenza, canale N, 600 V, 30 A, 0.106 ohm, TO-220F, foro passante (THT)
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreFUJI ELECTRIC
Cod. produttoreFMV30N60S1
Codice Prodotto2414391
Datasheet tecnico
Tipo di canalecanale N
Tensione Drain Source Vds600V
Corrente Continua di Drain Id30A
Resistenza Drain-Source in conduzione0.106ohm
Stile di Case del TransistorTO-220F
Montaggio Transistoreforo passante (THT)
Tensione di test di Rds(on)10V
Tensione di soglia Gate-Source massima3V
Dissipazione di potenza90W
Numero di pin3Pin
Temperatura di esercizio max150°C
Gamma di prodotti-
Qualificazioni-
Specifiche tecniche
Tipo di canale
canale N
Corrente Continua di Drain Id
30A
Stile di Case del Transistor
TO-220F
Tensione di test di Rds(on)
10V
Dissipazione di potenza
90W
Temperatura di esercizio max
150°C
Qualificazioni
-
Tensione Drain Source Vds
600V
Resistenza Drain-Source in conduzione
0.106ohm
Montaggio Transistore
foro passante (THT)
Tensione di soglia Gate-Source massima
3V
Numero di pin
3Pin
Gamma di prodotti
-
Documenti tecnici (1)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Japan
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Japan
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:In attesa di conferma
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.0003