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DMN3150LW-7
MOSFET di potenza, canale N, 28 V, 1.6 A, 0.073 ohm, SOT-323, montaggio superficiale (SMT)
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreDIODES INC.
Cod. produttoreDMN3150LW-7
Codice Prodotto3943605
Datasheet tecnico
Tipo di canalecanale N
Tensione Drain Source Vds28V
Corrente Continua di Drain Id1.6A
Resistenza Drain-Source in conduzione0.073ohm
Stile di Case del TransistorSOT-323
Montaggio Transistoremontaggio superficiale (SMT)
Tensione di test di Rds(on)4.5V
Tensione di soglia Gate-Source massima940mV
Dissipazione di potenza350mW
Numero di pin3Pin
Temperatura di esercizio max150°C
Gamma di prodotti-
Qualificazioni-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)MSL 1 - Non Limitata
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (15-Jan-2018)
Specifiche tecniche
Tipo di canale
canale N
Corrente Continua di Drain Id
1.6A
Stile di Case del Transistor
SOT-323
Tensione di test di Rds(on)
4.5V
Dissipazione di potenza
350mW
Temperatura di esercizio max
150°C
Qualificazioni
-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (15-Jan-2018)
Tensione Drain Source Vds
28V
Resistenza Drain-Source in conduzione
0.073ohm
Montaggio Transistore
montaggio superficiale (SMT)
Tensione di soglia Gate-Source massima
940mV
Numero di pin
3Pin
Gamma di prodotti
-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
MSL 1 - Non Limitata
Documenti tecnici (1)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (15-Jan-2018)
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Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.000001
Tracciabilità del prodotto