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21A Transistori FET al Nitruro di Gallio (GaN):
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Acquirente
Progettista
Produttore
Tensione Drain Source Vds
Corrente Continua di Drain Id
Resistenza Drain-Source in conduzione
Carica di gate tipica
Stile di Case del Transistor
Montaggio Transistore
Numero di pin
Imballaggio
Filtro/i applicato/i
1 Filtro/i selezionato/i
| Confronta | Prezzo per | Quantità | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Unità, fornito su nastro tagliato Re-reeling Opzioni di imballaggio | 10+ € 8,900 50+ € 7,560 100+ € 7,230 250+ € 6,890 | Min: 10 / Mult: 1 | 650V | 21A | 0.114ohm | 4.9nC | - | - | 3Pin | |||||
Unità, fornito su nastro tagliato Nastro pretagliato | 1+ € 9,650 5+ € 9,280 10+ € 8,900 50+ € 7,560 100+ € 7,230 Altri prezzi... | Min: 1 / Mult: 1 | 650V | 21A | 0.114ohm | 4.9nC | TO-247 | foro passante (THT) | 3Pin | |||||
