MOSFET Singoli:
4 prodotti trovatiVisualizza
Acquirente
Progettista
Produttore
Tipo di canale
Polarità Transistor
Tensione Drain Source Vds
Corrente Continua di Drain Id
Resistenza Drain-Source in conduzione
Resistenza di Attivazione Rds(on)
Stile di Case del Transistor
Montaggio Transistore
Tensione di test di Rds(on)
Tensione di soglia Gate-Source massima
Dissipazione di potenza
Dissipazione di Potenza Pd
Numero di pin
Temperatura di esercizio max
Gamma di prodotti
Imballaggio
Filtro/i applicato/i
1 Filtro/i selezionato/i
Confronta | Prezzo per | Quantità | ||||||||||||||||||||
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Unità, fornito su nastro tagliato Re-reeling Opzioni di imballaggio | 100+ € 0,842 500+ € 0,670 1000+ € 0,624 5000+ € 0,543 | Min: 100 / Mult: 1 | canale P | canale P | 150V | 16.2A | 0.125ohm | 0.1ohm | PowerPAK 1212 | montaggio superficiale (SMT) | 10V | 4V | 65.8W | 65.8W | 8Pin | 150°C | TrenchFET | |||||
Unità, fornito su nastro tagliato Re-reeling Opzioni di imballaggio | 100+ € 0,579 500+ € 0,439 1000+ € 0,368 5000+ € 0,346 | Min: 100 / Mult: 5 | canale P | canale P | 20V | 111.9A | 0.0035ohm | 0.0029ohm | PowerPAK 1212 | montaggio superficiale (SMT) | 4.5V | 900mV | 65.8W | 65.8W | 8Pin | 150°C | TrenchFET Gen III | |||||
Unità, fornito su nastro tagliato Re-reeling Opzioni di imballaggio | 100+ € 0,853 500+ € 0,617 1000+ € 0,558 5000+ € 0,501 | Min: 100 / Mult: 1 | canale N | Canale N Doppio + Schottky | 30V | 178.3A | 0.00138ohm | 0.00115ohm | PowerPAK 1212 | montaggio superficiale (SMT) | 10V | 2.5V | 65.8W | 65.8W | 8Pin | 150°C | TrenchFET | |||||
Unità, fornito su nastro tagliato Re-reeling Opzioni di imballaggio | 100+ € 0,844 500+ € 0,672 1000+ € 0,607 5000+ € 0,537 | Min: 100 / Mult: 1 | canale N | Canale N Doppio + Schottky | 30V | 181.8A | 0.00131ohm | 0.00109ohm | PowerPAK 1212 | montaggio superficiale (SMT) | 10V | 2.5V | 65.8W | 65.8W | 8Pin | 150°C | TrenchFET |