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MOSFET Doppi:
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Acquirente
Progettista
Produttore
Tipo di canale
Tensione drain-source (Vds) canale N
Tensione drain-source (Vds) canale P
Corrente di drain continua (Id) canale N
Corrente di drain continua (Id) canale P
Resistenza RdsON canale N
Resistenza RdsON canale P
Stile di Case del Transistor
Numero di pin
Dissipazione di potenza canale N
Dissipazione di potenza canale P
Temperatura di esercizio max
Gamma di prodotti
Imballaggio
Filtro/i applicato/i
1 Filtro/i selezionato/i
| Confronta | Prezzo per | Quantità | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Unità, fornito su nastro tagliato Nastro pretagliato | 1+ € 0,649 10+ € 0,556 100+ € 0,463 500+ € 0,403 1000+ € 0,375 Altri prezzi... | Min: 1 / Mult: 1 | canale N e P | 100V | 100V | 5.6A | 5.6A | 0.047ohm | 0.047ohm | SOIC | 8Pin | 3.6W | 3.6W | 150°C | TrenchFET Series | |||||
Unità, fornito su nastro tagliato Re-reeling Opzioni di imballaggio | 100+ € 0,463 500+ € 0,403 1000+ € 0,375 5000+ € 0,300 | Min: 100 / Mult: 1 | canale N e P | 100V | 100V | 5.6A | 5.6A | 0.047ohm | 0.047ohm | SOIC | 8Pin | 3.6W | 3.6W | 150°C | TrenchFET Series | |||||
