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MOSFET Doppi:
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Acquirente
Progettista
Produttore
Tipo di canale
Tensione drain-source (Vds) canale N
Tensione drain-source (Vds) canale P
Corrente di drain continua (Id) canale N
Corrente di drain continua (Id) canale P
Resistenza RdsON canale N
Resistenza RdsON canale P
Stile di Case del Transistor
Numero di pin
Dissipazione di potenza canale N
Dissipazione di potenza canale P
Temperatura di esercizio max
Gamma di prodotti
Qualificazioni
Imballaggio
Filtro/i applicato/i
1 Filtro/i selezionato/i
| Confronta | Prezzo per | Quantità | |||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Unità, fornito su nastro tagliato Nastro pretagliato | 1+ € 0,731 10+ € 0,523 100+ € 0,413 500+ € 0,368 1000+ € 0,349 Altri prezzi... | Min: 1 / Mult: 1 | canale N e P complementare | 30V | 30V | 7.3A | 7.3A | 0.021ohm | 0.021ohm | SOIC | 8Pin | 3.3W | 3.3W | 175°C | TrenchFET Series | AEC-Q101 | |||||
Unità, fornito su nastro tagliato Re-reeling Opzioni di imballaggio | 100+ € 0,413 500+ € 0,368 1000+ € 0,349 5000+ € 0,348 | Min: 100 / Mult: 1 | canale N e P complementare | 30V | 30V | 7.3A | 7.3A | 0.021ohm | 0.021ohm | SOIC | 8Pin | 3.3W | 3.3W | 175°C | TrenchFET Series | AEC-Q101 | |||||
