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MOSFET Doppi:
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Acquirente
Progettista
Produttore
Tipo di canale
Tensione drain-source (Vds) canale N
Tensione Drain Source Vds
Corrente Continua di Drain Id
Tensione drain-source (Vds) canale P
Corrente di drain continua (Id) canale N
Corrente di drain continua (Id) canale P
Resistenza RdsON canale N
Resistenza RdsON canale P
Stile di Case del Transistor
Numero di pin
Dissipazione di potenza canale N
Dissipazione di potenza canale P
Temperatura di esercizio max
Gamma di prodotti
Imballaggio
Filtro/i applicato/i
1 Filtro/i selezionato/i
| Confronta | Prezzo per | Quantità | ||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Unità, fornito su nastro tagliato Nastro pretagliato | 1+ € 0,668 10+ € 0,619 100+ € 0,576 500+ € 0,532 1000+ € 0,515 | Min: 1 / Mult: 1 | canale N | 100V | - | - | 100V | 4.8A | 4.8A | 0.164ohm | 0.164ohm | PQFN | 8Pin | 10.4W | 10.4W | 150°C | HEXFET Series | |||||
Unità, fornito su nastro tagliato Re-reeling Opzioni di imballaggio | 500+ € 0,532 1000+ € 0,515 | Min: 500 / Mult: 1 | canale N | 100V | 100V | 4.8A | 100V | 4.8A | 4.8A | 0.164ohm | 0.164ohm | PQFN | 8Pin | 10.4W | 10.4W | 150°C | HEXFET Series | |||||
