MOSFET Doppi:
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Acquirente
Progettista
Produttore
Tipo di canale
Tensione drain-source (Vds) canale N
Tensione drain-source (Vds) canale P
Corrente di drain continua (Id) canale N
Corrente di drain continua (Id) canale P
Resistenza RdsON canale N
Resistenza RdsON canale P
Stile di Case del Transistor
Numero di pin
Dissipazione di potenza canale N
Dissipazione di potenza canale P
Temperatura di esercizio max
Gamma di prodotti
Imballaggio
Filtro/i applicato/i
1 Filtro/i selezionato/i
Confronta | Prezzo per | Quantità | ||||||||||||||||||
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Unità, fornito su nastro tagliato Nastro pretagliato | 1+ € 1,490 10+ € 1,140 100+ € 0,800 500+ € 0,634 1000+ € 0,585 Altri prezzi... | Min: 1 / Mult: 1 | canale N | 100V | 100V | 19.5A | 19.5A | 0.0302ohm | 0.0302ohm | PowerPAIR | 8Pin | 33W | 33W | 150°C | TrenchFET Gen IV Series | |||||
Unità, fornito su nastro tagliato Re-reeling Opzioni di imballaggio | 100+ € 0,800 500+ € 0,634 1000+ € 0,585 5000+ € 0,527 | Min: 100 / Mult: 1 | canale N | 100V | 100V | 19.5A | 19.5A | 0.0302ohm | 0.0302ohm | PowerPAIR | 8Pin | 33W | 33W | 150°C | TrenchFET Gen IV Series |