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IXKN75N60C
Transistore MOSFET, canale N, 75A, 600V, 0.03 ohm, 10V, 3,9V, SOT-227B
L'immagine ha puramente scopi illustrativi. Vedere la descrizione del prodotto.
ProduttoreIXYS SEMICONDUCTOR
Cod. produttoreIXKN75N60C
Codice Prodotto3438400
Gamma ProdottiCoolMOS Series
Datasheet tecnico
Tolto dall'assortimento
Informazioni sui prodotti
ProduttoreIXYS SEMICONDUCTOR
Cod. produttoreIXKN75N60C
Codice Prodotto3438400
Gamma ProdottiCoolMOS Series
Datasheet tecnico
Tipo di canalecanale N
Polarità Transistorcanale N
Corrente Continua di Drain Id75A
Tensione Drain Source Vds600V
Resistenza Drain-Source in conduzione0.03ohm
Resistenza di Attivazione Rds(on)0.03ohm
Tensione di test di Rds(on)10V
Tensione di soglia Gate-Source massima3.9V
Dissipazione di Potenza Pd560W
Dissipazione di potenza560W
Temperatura di esercizio max150°C
Gamma di prodottiCoolMOS Series
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (12-Jan-2017)
Panoramica del prodotto
IXKN75N60C is a CoolMOS™ power MOSFET. Typical applications are switched mode power supplies (SMPS), uninterruptible power supplies (UPS), power factor correction (PFC), welding, inductive heating.
- N-channel enhancement mode, low RDSon, high VDSS
- MiniBLOC package, electrically isolated copper base
- Low coupling capacitance to the heatsink for reduced EMI
- High power dissipation due to AlN ceramic substrate
- International standard package SOT-227, easy screw assembly
- High blocking capability, low on resistance
- Avalanche rated for unclamped inductive switching (UIS)
- Low thermal resistance due to reduced chip thickness, enhanced total power density
- Voltage rating VDSS is 600V at TVJ = 25°C to 150°C, current rating ID25 is 75A at TC = 25°C
- Resistor RDS(on) is 36mohm at VGS = 10V, ID = ID90
Specifiche tecniche
Tipo di canale
canale N
Corrente Continua di Drain Id
75A
Resistenza Drain-Source in conduzione
0.03ohm
Tensione di test di Rds(on)
10V
Dissipazione di Potenza Pd
560W
Temperatura di esercizio max
150°C
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (12-Jan-2017)
Polarità Transistor
canale N
Tensione Drain Source Vds
600V
Resistenza di Attivazione Rds(on)
0.03ohm
Tensione di soglia Gate-Source massima
3.9V
Dissipazione di potenza
560W
Gamma di prodotti
CoolMOS Series
Documenti tecnici (2)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:South Korea
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:South Korea
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (12-Jan-2017)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.004