Moduli e MOSFET al Carburo di Silicio (SiC):
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Acquirente
Progettista
Produttore
Configurazione modulo MOSFET
Tipo di canale
Corrente Continua di Drain Id
Tensione Drain Source Vds
Resistenza Drain-Source in conduzione
Stile di Case del Transistor
Numero di pin
Tensione di test di Rds(on)
Tensione di soglia Gate-Source massima
Temperatura di esercizio max
Imballaggio
Filtro/i applicato/i
1 Filtro/i selezionato/i
Confronta | Prezzo per | Quantità | |||||||||||||||
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Unità | 1+ € 75,740 5+ € 66,270 10+ € 54,910 50+ € 49,230 | Min: 1 / Mult: 1 | configurazione singola | canale N | 54A | 1.2kV | 0.042ohm | SOT-227B | 4Pin | 15V | 3.6V | 150°C | |||||
Unità | 1+ € 68,390 5+ € 67,050 10+ € 65,710 50+ € 64,370 | Min: 1 / Mult: 1 | configurazione singola | canale N | 75A | 1.2kV | 0.027ohm | SOT-227B | 4Pin | 15V | 3.6V | 150°C |