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Moduli e MOSFET al Carburo di Silicio (SiC):
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Acquirente
Progettista
Produttore
Configurazione modulo MOSFET
Tipo di canale
Polarità Transistor
Corrente Continua di Drain Id
Tensione Drain Source Vds
Resistenza Drain-Source in conduzione
Resistenza di Attivazione Rds(on)
Stile di Case del Transistor
Numero di pin
Tensione di test di Rds(on)
Tensione di soglia Gate-Source massima
Dissipazione di Potenza Pd
Dissipazione di potenza
Temperatura di esercizio max
Imballaggio
Filtro/i applicato/i
1 Filtro/i selezionato/i
| Confronta | Prezzo per | Quantità | |||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Unità, fornito su nastro tagliato Nastro pretagliato | 1+ € 13,720 5+ € 12,150 10+ € 10,570 50+ € 9,720 100+ € 9,060 Altri prezzi... | Min: 1 / Mult: 1 | configurazione singola | canale N | - | 40A | 650V | 0.045ohm | - | PowerFLAT HV | 5Pin | 20V | 3.2V | - | 417W | 175°C | |||||
Unità, fornito su nastro tagliato Re-reeling Opzioni di imballaggio | 10+ € 10,570 50+ € 9,720 100+ € 9,060 250+ € 8,400 | Min: 10 / Mult: 1 | configurazione singola | canale N | canale N | 40A | 650V | 0.045ohm | 0.045ohm | PowerFLAT HV | 5Pin | 20V | 3.2V | 417W | 417W | 175°C | |||||
