Moduli e MOSFET al Carburo di Silicio (SiC):
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Acquirente
Progettista
Produttore
Configurazione modulo MOSFET
Tipo di canale
Corrente Continua di Drain Id
Tensione Drain Source Vds
Resistenza Drain-Source in conduzione
Stile di Case del Transistor
Numero di pin
Tensione di test di Rds(on)
Tensione di soglia Gate-Source massima
Dissipazione di potenza
Temperatura di esercizio max
Imballaggio
Filtro/i applicato/i
1 Filtro/i selezionato/i
Confronta | Prezzo per | Quantità | ||||||||||||||||
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Unità | 1+ € 13,620 5+ € 11,900 10+ € 10,190 50+ € 10,180 100+ € 10,170 Altri prezzi... | Min: 1 / Mult: 1 | configurazione singola | canale N | 34A | 1.2kV | 53mohm | TO-247 | 3Pin | 12V | 6V | 263W | 175°C | |||||
Unità | 1+ € 12,630 5+ € 11,430 10+ € 10,230 50+ € 9,960 100+ € 9,690 Altri prezzi... | Min: 1 / Mult: 1 | configurazione singola | canale N | 34A | 1.2kV | 53mohm | TO-247 | 4Pin | 12V | 6V | 263W | 175°C |