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Moduli e MOSFET al Carburo di Silicio (SiC):

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Acquirente
Progettista
Produttore
Configurazione modulo MOSFET
Tipo di canale
Corrente Continua di Drain Id
Tensione Drain Source Vds
Resistenza Drain-Source in conduzione
Stile di Case del Transistor
Numero di pin
Tensione di test di Rds(on)
Tensione di soglia Gate-Source massima
Dissipazione di potenza
Temperatura di esercizio max
Imballaggio
Filtro/i applicato/i
1 Filtro/i selezionato/i
ConfrontaPrezzo perQuantità
4221995

RoHS

Date/Lot Code

Unità
1+
€ 13,620
5+
€ 11,900
10+
€ 10,190
50+
€ 10,180
100+
€ 10,170
Altri prezzi...
Min: 1 / Mult: 1
configurazione singola
canale N
34A
1.2kV
53mohm
TO-247
3Pin
12V
6V
263W
175°C
4221999

RoHS

Date/Lot Code

Unità
1+
€ 12,630
5+
€ 11,430
10+
€ 10,230
50+
€ 9,960
100+
€ 9,690
Altri prezzi...
Min: 1 / Mult: 1
configurazione singola
canale N
34A
1.2kV
53mohm
TO-247
4Pin
12V
6V
263W
175°C
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