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Moduli e MOSFET al Carburo di Silicio (SiC):
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Acquirente
Progettista
Produttore
Configurazione modulo MOSFET
Tipo di canale
Corrente Continua di Drain Id
Tensione Drain Source Vds
Resistenza Drain-Source in conduzione
Stile di Case del Transistor
Numero di pin
Tensione di test di Rds(on)
Tensione di soglia Gate-Source massima
Dissipazione di potenza
Temperatura di esercizio max
Imballaggio
Filtro/i applicato/i
1 Filtro/i selezionato/i
| Confronta | Prezzo per | Quantità | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Unità | 1+ € 8,650 5+ € 7,470 10+ € 6,300 50+ € 5,120 100+ € 4,970 Altri prezzi... | Min: 1 / Mult: 1 | configurazione singola | canale N | 7.6A | 1.7kV | 0.41ohm | TO-247 | 3Pin | 12V | 4.7V | 100W | 175°C | |||||
Unità | 1+ € 9,460 5+ € 8,020 10+ € 6,580 50+ € 5,140 100+ € 4,950 Altri prezzi... | Min: 1 / Mult: 1 | configurazione singola | canale N | 7.6A | 1.2kV | 0.41ohm | TO-247 | 3Pin | 12V | 4.7V | 100W | 175°C | |||||
