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Moduli e MOSFET al Carburo di Silicio (SiC):
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Acquirente
Progettista
Produttore
Configurazione modulo MOSFET
Tipo di canale
Corrente Continua di Drain Id
Tensione Drain Source Vds
Resistenza Drain-Source in conduzione
Stile di Case del Transistor
Numero di pin
Tensione di test di Rds(on)
Tensione di soglia Gate-Source massima
Dissipazione di potenza
Temperatura di esercizio max
Imballaggio
Filtro/i applicato/i
1 Filtro/i selezionato/i
| Confronta | Prezzo per | Quantità | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Unità | 1+ € 23,010 25+ € 22,120 100+ € 21,220 250+ € 18,460 | Min: 1 / Mult: 1 | configurazione singola | canale N | 66A | 1.2kV | 0.04ohm | TO-247 | 3Pin | 20V | 2.7V | 323W | 175°C | |||||
Unità | 1+ € 16,590 25+ € 16,260 | Min: 1 / Mult: 1 | configurazione singola | canale N | 66A | 1.2kV | 0.04ohm | TO-247 | 4Pin | 20V | 2.6V | 323W | 175°C | |||||
