Moduli e MOSFET al Carburo di Silicio (SiC):
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Acquirente
Progettista
Produttore
Configurazione modulo MOSFET
Tipo di canale
Corrente Continua di Drain Id
Tensione Drain Source Vds
Resistenza Drain-Source in conduzione
Stile di Case del Transistor
Numero di pin
Tensione di test di Rds(on)
Tensione di soglia Gate-Source massima
Dissipazione di potenza
Temperatura di esercizio max
Gamma di prodotti
Imballaggio
Filtro/i applicato/i
1 Filtro/i selezionato/i
Confronta | Prezzo per | Quantità | |||||||||||||||||
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Unità | 1+ € 20,030 5+ € 17,060 10+ € 14,090 50+ € 13,810 100+ € 13,530 Altri prezzi... | Min: 1 / Mult: 1 | configurazione singola | canale N | 58A | 1.2kV | 0.04ohm | TO-247 | 4Pin | 20V | 3V | 319W | 175°C | EliteSiC Series | |||||
Unità | 1+ € 16,460 5+ € 15,140 10+ € 13,420 50+ € 13,150 100+ € 12,880 | Min: 1 / Mult: 1 | configurazione singola | canale N | 58A | 1.2kV | 0.04ohm | TO-247 | 4Pin | 20V | 3V | 319W | 175°C | EliteSiC Series | |||||
Unità | 1+ € 18,070 5+ € 14,860 10+ € 11,640 50+ € 11,380 100+ € 11,120 Altri prezzi... | Min: 1 / Mult: 1 | configurazione singola | canale N | 89A | 750V | 0.015ohm | TO-247 | 4Pin | 20V | 5.6V | 319W | 175°C | CoolSiC Gen 1 Series | |||||
Unità | 1+ € 17,570 5+ € 15,110 10+ € 12,640 50+ € 12,400 100+ € 12,160 Altri prezzi... | Min: 1 / Mult: 1 | configurazione singola | canale N | 66A | 1.2kV | 0.06ohm | TO-247 | 3Pin | 15V | 2.9V | 319W | 175°C | - | |||||
Unità | 1+ € 18,950 5+ € 15,690 10+ € 12,430 50+ € 11,870 100+ € 11,300 Altri prezzi... | Min: 1 / Mult: 1 | configurazione singola | canale N | 89A | 750V | 0.015ohm | TO-247 | 4Pin | 20V | 5.6V | 319W | 175°C | CoolSiC Gen 1 Series |