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Moduli e MOSFET al Carburo di Silicio (SiC):
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Acquirente
Progettista
Produttore
Configurazione modulo MOSFET
Tipo di canale
Corrente Continua di Drain Id
Tensione Drain Source Vds
Resistenza Drain-Source in conduzione
Stile di Case del Transistor
Numero di pin
Tensione di test di Rds(on)
Tensione di soglia Gate-Source massima
Dissipazione di potenza
Temperatura di esercizio max
Imballaggio
Filtro/i applicato/i
1 Filtro/i selezionato/i
| Confronta | Prezzo per | Quantità | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Unità, fornito su nastro tagliato Nastro pretagliato | 1+ € 12,540 5+ € 10,950 10+ € 9,360 50+ € 9,260 100+ € 9,170 Altri prezzi... | Min: 1 / Mult: 1 | configurazione singola | canale N | 30A | 1.2kV | 0.087ohm | H2PAK | 7Pin | 18V | 4.2V | 223W | 175°C | |||||
Unità, fornito su nastro tagliato Re-reeling Opzioni di imballaggio | 10+ € 10,170 50+ € 9,970 100+ € 9,760 250+ € 9,560 | Min: 10 / Mult: 1 | - | - | 30A | 1.2kV | 0.087ohm | - | 7Pin | 18V | 4.2V | 223W | 175°C | |||||
Unità, fornito su nastro tagliato Nastro pretagliato | 1+ € 13,930 5+ € 12,050 10+ € 10,170 50+ € 9,970 100+ € 9,760 Altri prezzi... | Min: 1 / Mult: 1 | configurazione singola | canale N | 30A | 1.2kV | 0.087ohm | HU3PAK | 7Pin | 18V | 4.2V | 223W | 175°C | |||||
Unità, fornito su nastro tagliato Re-reeling Opzioni di imballaggio | 10+ € 9,360 50+ € 9,260 100+ € 9,170 250+ € 9,070 | Min: 10 / Mult: 1 | - | - | 30A | 1.2kV | 0.087ohm | - | 7Pin | 18V | 4.2V | 223W | 175°C | |||||
Unità, fornito su nastro tagliato Nastro pretagliato | 1000+ € 6,160 3000+ € 6,040 | Min: 1000 / Mult: 1000 | configurazione singola | canale N | 30A | 1.2kV | 0.087ohm | H2PAK | 7Pin | 18V | 4.2V | 223W | 175°C | |||||
