21A Moduli e MOSFET al Carburo di Silicio (SiC):
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Acquirente
Progettista
Produttore
Configurazione modulo MOSFET
Tipo di canale
Corrente Continua di Drain Id
Tensione Drain Source Vds
Resistenza Drain-Source in conduzione
Stile di Case del Transistor
Numero di pin
Tensione di test di Rds(on)
Tensione di soglia Gate-Source massima
Dissipazione di potenza
Temperatura di esercizio max
Gamma di prodotti
Imballaggio
Filtro/i applicato/i
1 Filtro/i selezionato/i
Confronta | Prezzo per | Quantità | |||||||||||||||||
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Unità | 1+ € 11,610 5+ € 11,060 10+ € 10,500 50+ € 10,100 100+ € 9,800 Altri prezzi... | Min: 1 / Mult: 1 | configurazione singola | canale N | 21A | 1.7kV | 0.16ohm | TO-247 | 3Pin | 15V | 2.7V | 175W | 175°C | G3R | |||||
Unità | 1+ € 9,300 5+ € 8,520 10+ € 7,740 50+ € 6,970 100+ € 6,190 Altri prezzi... | Min: 1 / Mult: 1 | configurazione singola | canale N | 21A | 650V | 0.12ohm | TO-247N | 3Pin | 18V | 5.6V | 103W | 175°C | - | |||||
Unità | 1+ € 9,210 5+ € 8,200 10+ € 7,180 50+ € 6,610 | Min: 1 / Mult: 1 | configurazione singola | canale N | 21A | 650V | 0.12ohm | TO-263 (D2PAK) | 7Pin | 18V | 5.6V | 100W | 175°C | - |