Stampa pagina
DMT10H003SPSW-13
MOSFET di potenza, canale N, 100 V, 152 A, 0.0022 ohm, PowerDI 5060, montaggio superficiale (SMT)
L'immagine ha puramente scopi illustrativi. Vedere la descrizione del prodotto.
Disponibile per l'ordine
Tempo di approvvigionamento standard del produttore: 24 settimana/e
Avvisami non appena disponibile
| Quantità | |
|---|---|
| 100+ | € 2,1716 |
| 500+ | € 1,830 |
| 1000+ | € 1,6714 |
Prezzo per:Unità, fornito su nastro tagliato
Minimo: 100
Più: 1
€ 222,16 (IVA inc.)
Per questo prodotto verranno addebitati € 5,00 per il re-reeling
Aggiungi codice prodotto /nota
Aggiunto alla tua conferma d'ordine, fattura e nota di spedizione solo per questo ordine.
Questo numero verrà aggiunto alla conferma d'ordine, alla fattura, alla nota di spedizione, all'e-mail di conferma web e all'etichetta del prodotto.
Informazioni sui prodotti
ProduttoreDIODES INC.
Cod. produttoreDMT10H003SPSW-13
Codice Prodotto3702802RL
Datasheet tecnico
Tipo di canalecanale N
Polarità Transistorcanale N
Tensione Drain Source Vds100V
Corrente Continua di Drain Id152A
Resistenza di Attivazione Rds(on)0.0022ohm
Resistenza Drain-Source in conduzione0.0022ohm
Stile di Case del TransistorPowerDI 5060
Montaggio Transistoremontaggio superficiale (SMT)
Tensione di test di Rds(on)10V
Tensione di soglia Gate-Source massima2.6V
Dissipazione di potenza2.2W
Dissipazione di Potenza Pd2.2W
Numero di pin8Pin
Temperatura di esercizio max150°C
Gamma di prodotti-
Qualificazioni-
Standard di Qualifica Automotive-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Specifiche tecniche
Tipo di canale
canale N
Tensione Drain Source Vds
100V
Resistenza di Attivazione Rds(on)
0.0022ohm
Stile di Case del Transistor
PowerDI 5060
Tensione di test di Rds(on)
10V
Dissipazione di potenza
2.2W
Numero di pin
8Pin
Gamma di prodotti
-
Standard di Qualifica Automotive
-
Polarità Transistor
canale N
Corrente Continua di Drain Id
152A
Resistenza Drain-Source in conduzione
0.0022ohm
Montaggio Transistore
montaggio superficiale (SMT)
Tensione di soglia Gate-Source massima
2.6V
Dissipazione di Potenza Pd
2.2W
Temperatura di esercizio max
150°C
Qualificazioni
-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Documenti tecnici (2)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.000008
Tracciabilità del prodotto