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BPW85C
Fototransistore, 850 nm, 25 °, 100 mW, 2 Pin, T-1 (3mm)
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| Quantità | |
|---|---|
| 1+ | € 0,671 |
| 10+ | € 0,426 |
| 25+ | € 0,387 |
| 50+ | € 0,349 |
| 100+ | € 0,310 |
| 500+ | € 0,271 |
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreVISHAY
Cod. produttoreBPW85C
Codice Prodotto1045524
Datasheet tecnico
Lunghezza d'Onda Tipica850nm
Angolo di Visualizzazione25°
Consumo di Potenza100mW
Numero di pin2Pin
Stile di Case del TransistorT-1 (3mm)
Gamma di prodotti-
Standard di Qualifica Automotive-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (07-Nov-2024)
Panoramica del prodotto
The BPW85C is a Silicon NPN Phototransistor with high radiant sensitivity in clear plastic package. It is sensitive to visible and near infrared radiation. It is suitable for detector in electronic control and drive circuits.
- Leaded package
- High photo sensitivity
- High radiant sensitivity
- Suitable for visible and near infrared radiation
- Fast response time
- ϕ = ±25° Angle of half sensitivity
Specifiche tecniche
Lunghezza d'Onda Tipica
850nm
Consumo di Potenza
100mW
Stile di Case del Transistor
T-1 (3mm)
Standard di Qualifica Automotive
-
Angolo di Visualizzazione
25°
Numero di pin
2Pin
Gamma di prodotti
-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (07-Nov-2024)
Documenti tecnici (2)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Germany
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Germany
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85414900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (07-Nov-2024)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.000215
Tracciabilità del prodotto