STPSC4H065B-TR

I diodi Schottky al carburo di silicio di STMicroelectronics sfruttano le notevoli prestazioni del SiC rispetto al silicio standard. I dispositivi in SiC possono tollerare campi elettrici e tensioni molto più elevate e offrono un bandgap doppio o triplo rispetto agli equivalenti in silicio. Le basse caratteristiche di recupero inverso aumentano l’efficienza in tutti i sistemi grazie alla loro bassa tensione diretta e rendono questi diodi un elemento essenziale per risparmiare energia. Questi risparmi si ritrovano nelle applicazioni SMPS oltre che nella conversione di energia solare, le stazioni di carica EV o HEV e molto altro. Il prodotto è installato in package SMD e THT da 600V a 1200Vin.